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供應(yīng) INFINEON 產(chǎn)品：IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管、GaN 晶體管

來源：本站時間：2024-12-04瀏覽數(shù)：

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深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng) INFINEON 產(chǎn)品：IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管、GaN 晶體管

深圳市明佳達電子有限公司專業(yè)從事電子元器件銷售，我們提供豐富的產(chǎn)品選擇，精準的供應(yīng)鏈管理，以及全面的技術(shù)支持。公司致力于為客戶提供高效、便捷、優(yōu)質(zhì)的電子元器件采購體驗。

IGBT 晶體管 - 通過突破性創(chuàng)新和應(yīng)用聚焦引領(lǐng)市場

英飛凌致力于實現(xiàn)最高標準的性能和質(zhì)量，提供首屈一指的全面分立式 IGBT 產(chǎn)品組合。新產(chǎn)品針對特定應(yīng)用開發(fā)，以實現(xiàn)最高價值。

從 600V 到 1600V，我們提供各種 IGBT 電壓等級，以滿足各種應(yīng)用中的不同電壓要求。我們的分立式 IGBT 封裝組合包括 SMD（表面貼裝器件）封裝（如 D2PAK、DPAK、SOT-223）和通孔封裝（如 TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO-247PLUS-4 和 TO247 高級隔離封裝）。

分立式 IGBT 解決方案有反并聯(lián)二極管和無反并聯(lián)二極管兩種，非常適合用于工業(yè)、家電和汽車應(yīng)用。

MOSFET 晶體管 - OptiMOS?、StrongIRFET? 和 CoolMOS?，適用于低、中和高功率應(yīng)用的低、中和高壓功率 MOSFET

N 溝道 MOSFET 利用電子創(chuàng)建電流溝道。這樣，當 MOSFET 啟動和接通時，電子就能在電流中快速、輕松地移動。由于 N 溝道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS（導通）值下，載流子的遷移率大約是 P 溝道的兩到三倍，而 P 溝道芯片的尺寸必須是 N 溝道的兩到三倍。因此，在大電流應(yīng)用中，使用 MOSFET 晶體管 N 溝道通常是首選。

氮化鎵晶體管 - 為消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用提供最高效率和功率密度的分立和集成解決方案

英飛凌的氮化鎵晶體管在高達 700 V 的電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。我們的氮化鎵器件具有快速的導通/關(guān)斷速度、最小的開關(guān)損耗和多種封裝選項，從而能夠簡單快速地將產(chǎn)品推向市場。這些器件符合廣泛的標準，超越了行業(yè)標準。氮化鎵技術(shù)大大提高了系統(tǒng)的整體性能，并最大限度地降低了系統(tǒng)成本，提高了易用性。

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