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存儲(chǔ)芯片 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 LPDDR4 16Gbit
明佳達(dá)電子是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商，長期穩(wěn)定供應(yīng)MT53E512M32D1ZW-046 WT:B LPDDR4X動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。產(chǎn)品描述MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 是一款移動(dòng) LPDDR4 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC，容量為 16Gbit，采用 200-TFBGA（10x14.5）封裝形式。它具有 512M x 32 的組織結(jié)構(gòu)，…
明佳達(dá)電子是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商，長期穩(wěn)定供應(yīng)MT53E512M32D1ZW-046 WT:B LPDDR4X動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
產(chǎn)品描述
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 是一款移動(dòng) LPDDR4 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC，容量為 16Gbit，采用 200-TFBGA（10x14.5）封裝形式。它具有 512M x 32 的組織結(jié)構(gòu)，工作電壓為 1.1V/1.8V，支持并行接口，數(shù)據(jù)寬度為 32bit，數(shù)據(jù)速率高達(dá) 2.133GHz，傳輸延遲為 3.5ns。
產(chǎn)品特性
高性能：支持高達(dá) 2.133GHz 的數(shù)據(jù)速率，能夠快速處理大量數(shù)據(jù)，滿足高性能設(shè)備的需求。
低功耗：工作電壓為 1.1V/1.8V，有助于降低設(shè)備的能耗，延長電池續(xù)航時(shí)間，特別適合移動(dòng)設(shè)備和對功耗敏感的應(yīng)用。
高容量：16Gbit 的存儲(chǔ)容量，能夠存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)，滿足各種應(yīng)用場景對存儲(chǔ)空間的要求。
兼容性強(qiáng)：支持常見的 32bit 數(shù)據(jù)寬度，可與多種處理器和系統(tǒng)架構(gòu)兼容，便于集成到不同的設(shè)備中。
可靠性高：采用先進(jìn)的制造工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，減少數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)故障的風(fēng)險(xiǎn)。
產(chǎn)品參數(shù)
存儲(chǔ)容量：16Gbit
數(shù)據(jù)寬度：32bit
工作電壓：1.1V/1.8V
數(shù)據(jù)速率：最高 2.133GHz
傳輸延遲：3.5ns
封裝形式：200-TFBGA（10x14.5）
工作溫度范圍：-40°C 至 85°C（商業(yè)級）
如果您對 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 產(chǎn)品感興趣或有相關(guān)需求，歡迎隨時(shí)聯(lián)系明佳達(dá)電子。
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時(shí)間：2025-04-26
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