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產(chǎn)品分類

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商品型號(hào):IMDQ65R007M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫(kù)存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMDQ65R007M2H
封裝
PG-HDSOP-22
描述
CoolSiC? 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IMDQ65R007M2H是一款由Infineon公司生產(chǎn)的CoolSiC? 650 V G2碳化硅MOSFET。通過降低能量損耗,IMDQ65R007M2H充分發(fā)揮了碳化硅的性能,從而實(shí)現(xiàn)了更為高效的功率轉(zhuǎn)換。該款CoolSiC 650 V G2 MOSFET廣泛應(yīng)用于各類功率半導(dǎo)體應(yīng)用,包括光伏發(fā)電、能源存儲(chǔ)、電動(dòng)汽車直流充電、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)以及工業(yè)電源系統(tǒng)。


IMDQ65R007M2H 產(chǎn)品屬性

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:196 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:179 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:937 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:20 ns

濕度敏感性:Yes

封裝/箱體:HDSOP-22

產(chǎn)品:SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:41 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:53 ns

典型接通延遲時(shí)間:22 ns


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型號(hào)

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封裝

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G2R1000MT33J

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2000

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MSC040SMA120SD

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D3PAK-3

2000

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MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH80N120L2KHV

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TO-247-4L

2000

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IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSA80N120L2-7

IXYS

TO-263-7L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

    答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價(jià)嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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