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IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET，其耐壓值為1200V，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性，適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻，有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率?。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品：IXSH40N120L2KHV

封裝 / 箱體：TO-247-4L

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：41 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：104 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.5 V

Qg-柵極電荷：53 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：250 W

通道模式：Enhancement

商標：IXYS

配置：Single

下降時間：8.4 ns

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：11.7 ns

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間：14.5 ns

典型接通延遲時間：3.9 ns

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