商品名稱:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-VSON-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IGC033S101 是一款 100 V 常閉增強(qiáng)型功率晶體管,采用小型 PQFN 3x5 封裝,可實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。由于其低導(dǎo)通電阻,它是在要求苛刻的高電壓和大電流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
特征:
? 超快速開關(guān)和高效率
? 節(jié)省空間且高度堅(jiān)固的封裝
? 無反向恢復(fù)費(fèi)用
? 超低柵極電荷和輸出電荷
? 濕度等級(jí) MSL1
? 工業(yè)級(jí) 3x5 封裝
應(yīng)用:
? 電信和數(shù)據(jù)中心 48V IBC
? AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的同步整流
? 機(jī)器人和無人機(jī)
? 電池供電工具
? 48V 伺服驅(qū)動(dòng)器
? 電動(dòng)汽車、無人機(jī)
? D 類音頻
? 太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)
? 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD171N12KK
DD171N12KK是一款高性能整流二極管模塊,屬于 DD171N 系列。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有 1200V 的阻斷電壓和 171A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應(yīng)用。其先進(jìn)的設(shè)計(jì)和制造工藝確保了在高功率應(yīng)用中的可靠性和效率。產(chǎn)品特性—DD171N12KK壓力接觸技術(shù):提供高…DD171N12KA
DD171N12KA是一款 1200V、171A 的整流二極管模塊,采用壓力接觸封裝。該模塊設(shè)計(jì)用于高功率應(yīng)用,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠的性能。DD171N12KA產(chǎn)品特性高電壓和大電流處理能力 :能夠承受高達(dá) 1200V 的反向電壓,最大可處理 171A 的連續(xù)電流。低功耗 :具備低正向?qū)ā?/span>ND89N16K
ND89N16K是一款 20mm 單整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有 1600V 的阻斷電壓和 89A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應(yīng)用。ND89N12K
ND89N12K是單整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 模塊,用于使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)進(jìn)行相位控制。BSC020N03MSG
BSC020N03MSG是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 OptiMOS? 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,封裝形式為 TDSON-8(5x6mm),適用于多種高效功率應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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