商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：WLCSP-16
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGK080B041S 是一款 40V 常閉雙向功率晶體管，采用小型 WLCSP 1.7x1.7 封裝，可實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。由于其極低的導(dǎo)通電阻，它是在需要雙向阻斷能力的苛刻應(yīng)用（如負(fù)載開關(guān)）中提供可靠性能的理想選擇。
特征：
? E 模式雙向晶體管 - 常閉開關(guān)
? 漏極到漏極配置
? 雙向阻塞能力
? 低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低輸出電荷
? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，適用于目標(biāo)應(yīng)用
應(yīng)用：
? 高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)
? 智能手機(jī) USB 端口中的 OVP 保護(hù)
? 多電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…
ND171N18K
ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V，171 A 模塊，用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。
DD98N22K
DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊，采用20mm PowerBLOCK封裝，支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流，適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動、可再生能源等高功率應(yīng)用場景。
CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲器，具有多種功能，可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…
DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V，89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。
DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V，89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊，使用隔離銅底板。電話咨詢：86-755-83294757
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