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NVHL1000N170M1碳化硅（SiC）MOSFET是一款1700V M1平面器件，優(yōu)化用于快速開關(guān)應(yīng)用。該平面技術(shù)可在柵極處于負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該N溝道ElteSiC MOSFET由20V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能，但也可與18V柵極驅(qū)動(dòng)配合使用。

特點(diǎn)

? 典型值 RDS(on) = 960 m @ VGS = 20 V

? 超低柵極電荷 (QG(tot) = 14 nC)

? 高速開關(guān)，低電容（Coss = 11 pF）

? 100% 通過(guò)雪崩測(cè)試

? 通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證和 PPAP 認(rèn)證

典型應(yīng)用

? 反激式轉(zhuǎn)換器

規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiC（碳化硅結(jié)晶體管）  

漏源電壓（Vdss）： 1700 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：4.2A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 20V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.43 歐姆 @ 2A，20V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 640μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 14 nC @ 20 V  

Vgs（最大值）： +25V，-15V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 150 pF @ 1000 V  

功率耗散（最大值） 48W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級(jí)： 汽車級(jí)  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247-3 

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

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• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。