商品名稱:碳化硅MOSFET晶體管
品牌:ST
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
SCTWA70N120G2V-4 是一種 1200V 21 mΩ 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。該器件具有顯著的單位面積開關(guān)電阻低和非常好的開關(guān)性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。
SCTWA70N120G2V-4 的特性
非常快速和穩(wěn)健的本體二極管
極低的柵極電荷和輸入電容
非常高的工作結(jié)溫度容量 (TJ = 200°C)
源傳感引腳,提高效率
SCTWA70N120G2V-4 的應(yīng)用
開關(guān)模式電源
DC-DC 轉(zhuǎn)換器
工業(yè)電機(jī)控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
SCT011HU75G3AG
SCT011HU75G3AG 碳化硅電源 MOSFET 器件采用 ST 先進(jìn)創(chuàng)新的第三代 SiC MOSFET 技術(shù)開發(fā)而成。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS (on) 特性,結(jié)合低電容和高開關(guān)操作,提高了應(yīng)用性能,包括頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重。SCT011HU75G3AG 的特性AEC-Q101 合格在整個(gè)溫度…VL53L3CAV0DH/1
VL53L3CAV0DH/1是一款基于飛行時(shí)間(ToF)技術(shù)的光學(xué)傳感器,能夠?qū)崿F(xiàn)精確的距離測(cè)量。STM8S105K6U3ATR
STM8S105K6U3ATR 是屬于 STM8S 系列 8 位微控制器,工作頻率為 16MHz,采用哈佛架構(gòu)和 3 級(jí)流水線,具備 32KB 的 Flash 程序存儲(chǔ)器,1K 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM,以及 2K 字節(jié)的 RAM。工作電壓范圍為 2.95V 至 5.5V,工作溫度范圍為 - 40℃至 125℃,采用 32-UFQFPN(5x5)封裝…STM32L031C6U6
STM32L031C6U6是一款超低功耗32位微控制器,基于Arm Cortex-M0+內(nèi)核設(shè)計(jì),采用48引腳UFQFPN封裝(7x7mm)。STM32F103C8T6
STM32F103C8T6是一款基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核的 32 位微控制器,最高主頻可達(dá) 72MHz,具備高效的數(shù)據(jù)處理能力和實(shí)時(shí)性能。擁有 64KB Flash 存儲(chǔ)器和 20KB SRAM,可滿足大多數(shù)中等規(guī)模嵌入式應(yīng)用的程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。STM32F103C8T6 產(chǎn)品屬性制造商: STMicroelectronics …STM32F030CCT6
STM32F030CCT6是一款基于 Arm Cortex-M0 內(nèi)核的主流微控制器,具有 256 Kbytes 的 Flash 存儲(chǔ)器和 48 MHz 的 CPU 頻率。電話咨詢:86-755-83294757
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