商品名稱：NTH4L022N120M3S
數(shù)據(jù)手冊：
NTH4L022N120M3S.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NTH4L022N120M3S 碳化硅（SiC）MOSFET–EliteSiC，22 mohm，1200 V，M3S，TO-247-4L
特征
?類型。RDS（開啟）=22 m@VGS=18 V
?超低柵極電荷（QG（tot）=151 nC）
?低電容高速開關（Coss=146 pF）
?100%雪崩測試
?該設備不含鹵化物，符合RoHS標準，豁免7a、Pb?Free 2LI（二級互連）
典型應用
?太陽能逆變器
?電動汽車充電站
?UPS（不間斷電源）
?儲能系統(tǒng)
?SMPS（開關模式電源）
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
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FGY4L75T120SWD
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢：86-755-83294757
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