商品名稱：GHXS100B065S-D3
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：SOT-227-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來提高性能。SemiQ SiC肖特基二極管在高溫下具有低導通電阻和出色的開關(guān)性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計。
器件：GHXS100B065S-D3
類型：SiC肖特基二極管模塊
電壓：650V
電流：100A
封裝：SOT-227
特點
快速、與溫度無關(guān)的開關(guān)
SiC SBDs的零反向恢復電流
Vf的正溫度系數(shù)
低雜散電感
應(yīng)用
開關(guān)模式電源
感應(yīng)加熱器
焊接設(shè)備
充電站
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設(shè)計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設(shè)計和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結(jié)溫下工作，符合RoHS標準。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功…
GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET …電話咨詢：86-755-83294757
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