商品名稱:GCMX005A120B3B1P
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。
產(chǎn)品屬性
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:4 N 溝道(半橋)
FET 功能:碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss):1200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):383A (Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 80mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):927nC @ 20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):23500pF @ 800V
功率 - 最大值:1.154kW (Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
等級:-
資質(zhì):-
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動全選項(xiàng)混合動力驅(qū)動 mSiC? MOSFET 模塊
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SemiQ 設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET …GCMX080A120B2H1P
SemiQ推出全新太陽能逆變器和電動汽車充電用全橋配置的高效緊湊型MOSFET模塊,GCMX080A120B2H1P 1200V、27A SiC全橋模塊就是其中的一員。這些高性能1200V SiC模塊經(jīng)過1400V以上的測試,旨在在高頻和高功率環(huán)境中可靠運(yùn)行。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(全橋)…電話咨詢:86-755-83294757
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