商品名稱：GHXS050B065S-D3
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：SOT-227-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應來提高性能。SemiQ SiC肖特基二極管在高溫下具有低導通電阻和出色的開關(guān)性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設計。該GHXS050B065S-D3器件是一款650V 、050A碳化硅肖特基二極管模塊。
特點
快速、與溫度無關(guān)的開關(guān)
SiC SBDs的零反向恢復電流
Vf的正溫度系數(shù)
低雜散電感
應用
開關(guān)模式電源
感應加熱器
焊接設備
充電站
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR
SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR是一款由Samtec公司生產(chǎn)的高密度陣列板對板連接器，屬于SEARAY? SEAF插座系列。該連接器采用1.27mm間距網(wǎng)格和耐用型Edge Rate端子系統(tǒng)，具有高達56Gbps的性能。此外，SEAF-40-05.0-L-08-2-A-K-TR連接器符合IPC-A-610F和IPC J-STD-001F標準規(guī)范…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標準。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應用的創(chuàng)新設計。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結(jié)溫下工作，符合RoHS標準。典型應用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功…
GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中提供可靠、高效的運行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
