商品名稱:IXFN50N120SK
數(shù)據(jù)手冊:IXFN50N120SK.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227B
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXFN50N120SK 高速開關(guān),具有低電容,高阻斷電壓,低 RDS(on),易于并聯(lián),驅(qū)動簡單,采用抗閂鎖,真正的開爾文源連接,隔離電壓為3000 V~,具有工業(yè)標準外形,且符合 RoHS 規(guī)范和環(huán)氧樹脂符合 UL 94V-0 標準,帶氮化鋁基板隔離,先進的功率循環(huán)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):48A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):52 毫歐 @ 40A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):115 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1895 pF @ 1000 V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
應(yīng)用
● 太陽能逆變器
● 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
● 電機驅(qū)動器
● 開關(guān)模式電源
● 不間斷電源
● 電池充電器
● 感應(yīng)加熱
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應(yīng)用場景設(shè)計。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用,如車載充電器、電動汽車/混合動力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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