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PSMNR51-25YLHX 25V邏輯電平柵極驅(qū)動N溝道增強型MOSFET，采用LFPAK56E封裝，針對低RDSON、低IDSS泄漏（即使在過熱時）、高效率和高電流進行了優(yōu)化。額定電流為380 A，針對直流負載開關(guān)和熱插拔應(yīng)用進行了優(yōu)化。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：380A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.57 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6990 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：333W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56; Power-SO8

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：PSMNR51

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