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NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲的溝槽柵和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175°C，具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下：

功能

集電極電流 (IC) 額定值高達75A

低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

穩(wěn)定且緊密的參數(shù)，便于并聯(lián)操作

完全額定為快速軟反向恢復(fù)二極管

最高結(jié)溫：175 °C

符合RoHS標準，無鉛電鍍

主要規(guī)格

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，75A

功率 - 最大值：600 W

開關(guān)能量：2.9mJ（導(dǎo)通），1.1mJ（關(guān)斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：160 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：29ns/170ns

測試條件：400V，75A，10 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間 (trr)：165 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

NGW75T65H3DFQ IGBT經(jīng)過優(yōu)化，非常適合用于高壓低頻工業(yè)功率逆變器和伺服電機驅(qū)動應(yīng)用。

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