明佳達(dá)供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢，有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系，公司還回收一系列模塊如：5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍(lán)牙5.0、以太網(wǎng)、…
碳化硅 MOSFET 模塊 FS03MR12A6MA1B 該電源模塊采用新的 CoolSiC? 汽車 MOSFET 1200V
描述：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2
規(guī)格參數(shù)
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：400A（Tj）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.7 毫歐 @ 400A，15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應(yīng)商器件封裝：AG-HYBRIDD-2
功能總結(jié)
電氣特性
新型半導(dǎo)體材料——碳化硅
阻斷電壓 1200V
低RDSon
低開關(guān)損耗
低 Og 和 Crss
低電感設(shè)計(jì) <10nH
T vj op= 150°C
機(jī)械特性
4.2kV DC 1sec 絕緣
高爬電距離和電氣間隙
緊湊的設(shè)計(jì)
高功率密度
直冷PinFin底板
高性能 Si3N4 陶瓷
PCB 和冷卻器組件的導(dǎo)向元件
集成 NTC 溫度傳感器
PressFIT 接觸技術(shù)
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
UL 94 V0 模塊框架
產(chǎn)品型號：FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1
批次：最新21+
封裝：Module
明佳達(dá)供求碳化硅MOSFET模塊FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原裝，質(zhì)量保證，價(jià)格優(yōu)勢，有庫存呆料需處理的歡迎聯(lián)系，公司還回收一系列模塊如：5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍(lán)牙5.0、以太網(wǎng)、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。
要求：只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。
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時(shí)間：2025-03-29
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