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供求TO247-3封裝 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1溝槽型碳化硅MOSFET

來源：本站時(shí)間：2022-08-22瀏覽數(shù)：

明佳達(dá)公司供求英飛凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1，采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC? 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。

明佳達(dá)公司供應(yīng)英飛凌 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1溝槽型碳化硅MOSFET

說明：采用 TO247-3 封裝的 CoolSiC? 1200 V、7 mΩ SiC 溝槽 MOSFET。

規(guī)格

FET 類型 N 通道

技術(shù) SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss） 1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 225A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 9.9 毫歐 @ 108A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +20V，-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 750W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3

封裝/外殼 TO-247-3

應(yīng)用

電池化成

電動(dòng)汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

光伏能源系統(tǒng)解決方案

不間斷電源 (UPS)

長期高價(jià)收購TO247-3封裝 IMW120R007M1H、IMW120R007M1HXKSA1溝槽型碳化硅MOSFET，只要原裝正品，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555！

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公司首頁：www.ylxkg.cn

供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET 返回
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