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明佳達供應(yīng)全新原裝IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 溝槽型碳化硅 MOSFET
型號：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1
品牌：英飛凌
年份：最新21+
描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET。
規(guī)格參數(shù)
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss） 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 13A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 294 毫歐 @ 4A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 9.4 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +18V，-15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 312 pF @ 800 V
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-7-12
封裝/外殼 TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
優(yōu)勢
提高效率
實現(xiàn)更高的工作頻率
增加功率密度
減少冷卻工作
降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本
SMD封裝，無需增設(shè)散熱器，即可實現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電動汽車快速充電
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
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