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2025年4月17日，中國(guó) —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；) 推出內(nèi)置xMemory的Stellar車(chē)規(guī)級(jí)微控制器。xMemory是Stellar系列汽車(chē)微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲(chǔ)配置的存儲(chǔ)器，可徹底改變開(kāi)發(fā)軟件定義汽車(chē) (SDV) 和升級(jí)電動(dòng)汽車(chē)平臺(tái)的艱難過(guò)程。

不同于因需要不同存儲(chǔ)容量而使用多個(gè)不同芯片從而引發(fā)不同芯片相關(guān)的開(kāi)發(fā)和測(cè)試成本，內(nèi)置xMemory的Stellar微控制器是當(dāng)前市場(chǎng)首款可改變存儲(chǔ)配置的創(chuàng)新產(chǎn)品，為客戶(hù)提供了高能效和高性?xún)r(jià)比的解決方案。采用從一開(kāi)始就簡(jiǎn)化的方法，汽車(chē)制造商能夠使他們的汽車(chē)設(shè)計(jì)更具前瞻性。這種方法不僅在開(kāi)發(fā)周期的后期為創(chuàng)新提供了更大的空間，還有助于降低開(kāi)發(fā)成本，并通過(guò)簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈流程來(lái)加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。Stellar P6 MCU是首款采用 xMemory的Stellar微控制器，主要用于電動(dòng)汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng)新趨勢(shì)和架構(gòu)，計(jì)劃將于 2025 年底投產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體產(chǎn)品部副總裁兼通用和汽車(chē)微控制器部門(mén)總經(jīng)理 Luca Rodeschini 表示：“ST為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)出了存儲(chǔ)單元很小的終極存儲(chǔ)器技術(shù)，可滿足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)更大內(nèi)存的無(wú)盡需求。內(nèi)置 xMemory的Stellar將為汽車(chē)制造商簡(jiǎn)化未來(lái)汽車(chē)架構(gòu)，優(yōu)化成本效益，并大大縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。這種創(chuàng)新解決方案讓相同的硬件提供原有的基礎(chǔ)設(shè)施和功能，并為持續(xù)不斷的產(chǎn)品創(chuàng)新預(yù)留充足的內(nèi)存空間，讓汽車(chē)制造商安心地推出數(shù)字化和電動(dòng)化創(chuàng)新技術(shù)，保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位，延長(zhǎng)汽車(chē)的生命周期?！?/span>

博世副總裁 Axel Aue表示：“通過(guò)嵌入相變存儲(chǔ)器 (PCM) 技術(shù)，Stellar 提供了一種穩(wěn)健、靈活的存儲(chǔ)器概念，可用于開(kāi)發(fā)高性能、適應(yīng)性強(qiáng)的汽車(chē)微控制器。相較于其他存儲(chǔ)器技術(shù)，例如， RRAM 和 MRAM，PCM技術(shù)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)更強(qiáng)?！?/span>

Moor Insights & Strategy 首席分析師 Anshel Sag 表示： “通過(guò)選擇Stellar xMemory 這樣的可擴(kuò)展 MCU，工程師不必為支持新的軟件功能，花費(fèi)昂貴的成本重新設(shè)計(jì)硬件。無(wú)論是在開(kāi)發(fā)早期還是發(fā)布后的OTA 更新過(guò)程中，隨著軟件代碼量不斷增加，同一平臺(tái)可以現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)，從而顯著縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間和維護(hù)成本。像 Stellar 這樣采用 xMemory 的解決方案還能簡(jiǎn)化物流流程，提高物料清單效率?！?/span>

工作原理

汽車(chē)制造商需要無(wú)縫集成軟硬件，最大限度地提高軟硬件跨平臺(tái)二次使用率，延長(zhǎng)汽車(chē)生命周期，并增強(qiáng)數(shù)字化功能。隨著汽車(chē)行業(yè)不斷推出新功能、新法規(guī)和對(duì)內(nèi)存容量需求很大的人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用，以及無(wú)線 (OTA) 更新功能，軟件變得日益復(fù)雜，內(nèi)存容量成為汽車(chē)發(fā)展的瓶頸。為解決這一挑戰(zhàn)，意法半導(dǎo)體的 xMemory 存儲(chǔ)技術(shù)可以在開(kāi)發(fā)階段或車(chē)輛使用過(guò)程中擴(kuò)大內(nèi)存容量，讓汽車(chē)應(yīng)用程序更新升級(jí)不再受內(nèi)存空間的限制。

在軟件定義汽車(chē)生命周期開(kāi)始階段選擇正確的MCU，可確保微控制器能夠?yàn)槲磥?lái)的軟件開(kāi)發(fā)提供充足的存儲(chǔ)空間。選擇存儲(chǔ)容量過(guò)高的芯片會(huì)增加成本，而選擇存儲(chǔ)容量過(guò)低的芯片則可能需要后期尋找存儲(chǔ)空間更大的MCU，并重新測(cè)試，從而增加了開(kāi)發(fā)復(fù)雜性、成本和時(shí)間。內(nèi)置xMemory的Stellar MCUs 的價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力，可以節(jié)省更多成本，簡(jiǎn)化OEM供應(yīng)鏈，并延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命，最大限度擴(kuò)大跨項(xiàng)目二次使用率，縮短檢測(cè)時(shí)間，從而加快產(chǎn)品上市。

PCM相變存儲(chǔ)器和Stellar技術(shù)說(shuō)明：

ST 一直處于汽車(chē) MCU 從閃存向嵌入式非易失性存儲(chǔ)器 (eNVM) 技術(shù)過(guò)渡的前沿，推出了首個(gè)車(chē)規(guī) 28nm eNVM技術(shù)，同時(shí)這也是 xMemory 的核心技術(shù)。與RRAM、MRAM、閃存等 NVM 技術(shù)相比，ST的嵌入式相變存儲(chǔ)器 (ePCM) 在能效、性能、面積 (PPA) 指標(biāo)上表現(xiàn)更好。

PCM 擁有業(yè)界最小的 eNVM存儲(chǔ)單元，18nm和28nm PCM的存儲(chǔ)密度是其他技術(shù)的兩倍。

即將推出的基于Arm?處理器的Stellar P和G兩大系列MCU將集成新一代PCM技術(shù)。Stellar產(chǎn)品家族是為汽車(chē)應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，可簡(jiǎn)化車(chē)輛電氣架構(gòu)，提高能效、靈活性和安全性。產(chǎn)品組合包括用于中央域控制器、域控制器和車(chē)身控制的 Stellar Integration MCU (Stellar P和Stellar G系列)，它們整合了多個(gè)獨(dú)立通信和控制 ECU 功能，還有一個(gè)針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)模塊電源轉(zhuǎn)換器控制優(yōu)化的 Stellar Electrification MCU (Stellar E系列)。

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