器件說明：ADMV1012AEZ 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)雙邊帶(DSB)下變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對輸入頻率范圍為17.5 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優(yōu)化。ADMV1012提供15 dB的轉換增益、25 dB的鏡像抑制性能和2.5 dB噪聲…
器件說明：
ADMV1012AEZ 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)雙邊帶(DSB)下變頻器，采用符合RoHS標準的封裝，針對輸入頻率范圍為17.5 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優(yōu)化。
ADMV1012提供15 dB的轉換增益、25 dB的鏡像抑制性能和2.5 dB噪聲指數。ADMV1012采用射頻(RF)低噪聲放大器(LNA)，后接由驅動放大器驅動集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。它具有IF1和IF2正交混頻器輸出，所需外部90°混合型器件用于選擇所需邊帶。
應用：
點對點微波無線電
雷達和電子戰(zhàn)系統(tǒng)
儀器儀表、自動測試設備 (ATE)
衛(wèi)星通信
特性：
RF 輸入頻率范圍：17.5 GHz 至 24 GHz
IF 輸出頻率范圍：2.5 GHz 至 3.5 GHz
LO 輸入頻率范圍：7 GHz 至 13.5 GHz
轉換增益（混合器件）：15 dB（典型值）
SSB 噪聲指數：2.5 dB（典型值）
輸入 IP3：3 dBm（典型值）
輸入 P1dB：?5 dBm（典型值）
20 dB 鏡頻抑制
單端 50 Ω RF 和 LO 輸入端口
裸露焊盤、4.9 mm × 4.9 mm、32引腳LCC封裝
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