產(chǎn)品概述：A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA是唯一集成FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和可編程模擬電路的器件，提供完全定制和ip保護(hù)的優(yōu)勢，同時仍然易于使用。SmartFusion SoC FPGA基于專有閃存工藝，非常適合需要真正的SoC解決方案的硬件和嵌入式設(shè)計(jì)…
產(chǎn)品概述：
A2F200M3F-1CS288I SmartFusion片上系統(tǒng)(SoC)FPGA是唯一集成FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和可編程模擬電路的器件，提供完全定制和ip保護(hù)的優(yōu)勢，同時仍然易于使用。
SmartFusion SoC FPGA基于專有閃存工藝，非常適合需要真正的SoC解決方案的硬件和嵌入式設(shè)計(jì)人員，這種解決方案比傳統(tǒng)的固定功能微控制器具有更大的靈活性，而沒有傳統(tǒng)FPGA上軟處理器內(nèi)核的過高成本。
特征：
微控制器系統(tǒng)（MSS）：
100 MHz 的 32 位 ARM? Cortex?-M3，零等待狀態(tài)存儲器實(shí)現(xiàn) 1.25 DMIPS/MHz 吞吐量
存儲器保護(hù)單元（MPU）
單周期乘法，硬件除法
JTAG 調(diào)試（四線），串行線調(diào)試（SWD–雙線）和單線瀏覽器（SWV）接口
嵌入式 Flash 存儲器（eNVM），64K 字節(jié)～512K 字節(jié)
嵌入式高速 SRAM（eSRAM），16K 字節(jié)～64K 字節(jié)，含 2 個物理塊，2 個不同主機(jī)可同時訪問它
片上存儲器的帶寬最高可達(dá) 16 Gbps
帶 RMII 接口的 10/100 以太網(wǎng) MAC
可編程的外部存儲器控制器
異步存儲器
NOR Flash，SRAM，PSRAM
同步 SRAM
兩個 I2C 外設(shè)
兩個 16550 UART
兩個 SPI 外設(shè)
兩個 32 位定時器
32 位看門狗定時器
8 通道 DMA 控制器
1.5 MHz～20 MHz 主振蕩器
電池供電的、帶實(shí)時計(jì)數(shù)器（RTC）的 32 KHz 低功率振蕩器
精度為 1%的 100 MHz 嵌入式 RC 振蕩器
帶 4 個輸出相位的嵌入式 PLL
高性能FPGA：
采用基于 Flash 的、130nm、7 層金屬的 CMOS 工藝
非易失，斷電時保留程序
350 MHz 系統(tǒng)性能
嵌入式 SRAM 與 FIFO
SRAM block 的長寬比可調(diào)節(jié)
可選用×1，×2，×4，×9 與×18 組合
真實(shí)雙端口 SRAM（×18 組合除外）
可編程的嵌入式 FIFO 控制邏輯
通過 JTAG 采用 128 位高級加密標(biāo)準(zhǔn)（AES）解密技術(shù)實(shí)現(xiàn)安全 ISP
采用 FlashLock 技術(shù)保護(hù) FPGA 內(nèi)容
5 個時鐘調(diào)節(jié)電路（CCC）模塊，每個模塊最多可帶 2 個集成模擬 PLL
相移、分頻/倍頻、延時等均可配置
頻率：輸入為 1.5～350 MHz，輸出為 0.75～350 MHz
可編程模擬前端（AFE）：
最多可包含 3 個 12 位 SAR ADC
12 位模式時的速率為 500 Ksps
8 位和 10 位模式時的速率為 600 Ksps
2.56V 內(nèi)部參考電壓或者外部參考電壓
每個 ADC 包含一個一級 Sigma-Delta（Σ- ）DAC
12 位 500 Ksps 更新速率
每個器件最多可包含 5 個新的高性能模擬信號調(diào)節(jié)模塊（SCB），每個模塊包括：
2 個高電壓雙極電壓監(jiān)控器（4 個輸入的電壓為±2.5V～－11.5/＋14V），精度為 1%
高增益電流監(jiān)控器，差分增益=50，共模電壓高達(dá) 14V
溫度監(jiān)控器（12 位模式時的分辨率=1/4℃；準(zhǔn)確溫度范圍是-55℃～150℃）
多達(dá) 10 個高速比較器（tpd = 50ns）
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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