深圳市明佳達電子有限公司全新原裝英飛凌IGBT模塊_FZ1000R65KE4P2_帶溝槽/場截止 IGBT4 和發(fā)射極受控 4 二極管的高絕緣模塊器件說明FZ1000R65KE4P2 6500 V、1000 A、190 毫米單開關 IGBT 模塊，采用 IGBT4 溝道現(xiàn)場止動技術(shù) - HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應用的最佳解決方案。電…
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝英飛凌IGBT模塊_FZ1000R65KE4P2_帶溝槽/場截止 IGBT4 和發(fā)射極受控 4 二極管的高絕緣模塊
器件說明
FZ1000R65KE4P2 6500 V、1000 A、190 毫米單開關 IGBT 模塊，采用 IGBT4 溝道現(xiàn)場止動技術(shù) - HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應用的最佳解決方案。
電氣特性
- Vces = 6500 V
- IC 額定值 = 1000 A / ICRM = 2000 A
- 低 VCE 飽和
機械特性
- 擴展存儲溫度低至 Tstg = -55 °C
- 具有 10.4 kV AC 60 s 增強絕緣的封裝
- 高爬電距離和間隙距離
- CTI > 600 的封裝
- AlSiC 底板增強了熱循環(huán)能力
潛在應用
? 中壓變流器
? 牽引
? 輸配電
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
產(chǎn)品: Highly Insulated Modules
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 6.5 kV
集電極—射極飽和電壓: 3.25 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 1 kA
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 3.6 MW
封裝 / 箱體: 190 mm x 140 mm x 48 mm
最小工作溫度: - 50 C
最大工作溫度: + 135 C
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
濕度敏感性: Yes
安裝風格:Screw Mount
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