TT425N18KOF 是晶閘管 60 mm 功率模塊,電壓 1800 V,電流 425 A,采用壓力觸點技術(shù),使用隔離鋁底板進行相位控制。
TT425N18KOF 的特點
采用壓力接觸技術(shù),可靠性高
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
電絕緣底板
先進的中功率技術(shù) (AMPT)
故障時短路
最高的堅固性
TT425N18KOF 的優(yōu)點
專為滿足高過載和功率循環(huán)要求而設(shè)計
在整個使用壽命期間具有較高的直流阻斷穩(wěn)定性
高浪涌電流能力,尤其適用于短時電網(wǎng)尖峰脈沖
提供各種功率模塊的唯一供應(yīng)商
TT425N18KOF 的應(yīng)用
電機控制和驅(qū)動
風(fēng)能系統(tǒng)
牽引
商用車、工程車和農(nóng)用車 (CAV)
不間斷電源 (UPS)
工業(yè)加熱和焊接
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IPC100N04S5-2R8
IPC100N04S5-2R8是一款汽車級 N 溝道增強型功率 MOSFET,屬于 OptiMOS?-5 系列,采用 PG-TDSON-8 封裝形式IMW65R007M2H
采用 TO-247 封裝的 IMW65R007M2H CoolSiC? MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)方面均有顯著改進,適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級…IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC 屬于 Source-Down 系列,RDS(on) 為 0.85 mOhm。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片,在元件內(nèi)部倒置。它提高了散熱能力,改善了功率密度和布局可能性。雙面冷卻封裝的耗散功率是過模封裝的三倍,并提供標(biāo)準(zhǔn)和中心柵基底面。IQE008N03LM5SC 的特點RDS(on) 大…ISC055N15NM6
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ISC044N15NM6 OptiMOS? 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開關(guān)和軟開關(guān)的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS? 5 低 41FOMg 比 OptiMOS? 5 低 20150 V 時的業(yè)界最低 Qr電話咨詢:86-755-83294757
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