商品名稱:PSRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S27KL0642DPBHB023 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 HYPERBUS? 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM 陣列就好像內(nèi)存使用了無需刷新即可保留數(shù)據(jù)的靜態(tài)單元。因此,將該存儲器描述為偽靜態(tài) RAM(PSRAM)更為準確。
S27KL0642DPBHB023 的特點
HYPERBUSTM 接口
支持 1.8V / 3.0 V 接口
單端時鐘 (CK) - 11 個總線信號
可選差分時鐘 (CK, CK#) - 12 個總線信號
芯片選擇 (CS#)
8 位數(shù)據(jù)總線 (DQ[7:0])
硬件復位 (RESET#)
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務開始時輸出,指示刷新延遲
在讀取事務期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務期間作為寫入數(shù)據(jù)掩碼輸入
-可選 DDR 中心對齊讀取選通 (DCARS)
在讀取事務期間,RWDS 被第二個時鐘偏移,與 CK 相移
相移時鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動 RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時鐘頻率為 200 MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達 400 MBps(3,200 Mbps)
可配置的突發(fā)特性:
線性突發(fā)
混合選項 - 一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…DD171N12KK
DD171N12KK是一款高性能整流二極管模塊,屬于 DD171N 系列。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有 1200V 的阻斷電壓和 171A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應用。其先進的設計和制造工藝確保了在高功率應用中的可靠性和效率。產(chǎn)品特性—DD171N12KK壓力接觸技術(shù):提供高…DD171N12KA
DD171N12KA是一款 1200V、171A 的整流二極管模塊,采用壓力接觸封裝。該模塊設計用于高功率應用,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和可靠的性能。DD171N12KA產(chǎn)品特性高電壓和大電流處理能力 :能夠承受高達 1200V 的反向電壓,最大可處理 171A 的連續(xù)電流。低功耗 :具備低正向?qū)ā?/span>ND89N16K
ND89N16K是一款 20mm 單整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有 1600V 的阻斷電壓和 89A 的額定電流,使用隔離銅基板,適用于相控應用。ND89N12K
ND89N12K是單整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 模塊,用于使用隔離銅底板的壓力觸點技術(shù)進行相位控制。BSC020N03MSG
BSC020N03MSG是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 OptiMOS? 技術(shù),具有極低的導通電阻和柵極電荷,封裝形式為 TDSON-8(5x6mm),適用于多種高效功率應用。電話咨詢:86-755-83294757
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