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STW58N60DM2AG是意法半導體（STMicroelectronics）推出的一款N溝道功率MOSFET，屬于MDmesh? DM2系列，采用TO-247-3封裝，適用于高壓、大電流開關應用，如電源轉換、電機驅動、工業(yè)控制和汽車電子等領域。

STW58N60DM2AG功能

專為汽車應用設計并通過 AEC-Q101 認證

快速恢復體二極管

極低的柵極電荷和輸入電容

低導通電阻

100% 通過雪崩測試

極高的 dv/dt 強度

齊納保護型

STW58N60DM2AG產品屬性

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 90 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 360 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。

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