商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
BSC0901NSI一款N通道功率MOSFET,屬于OptiMOS?系列,專為高性能降壓轉(zhuǎn)換器優(yōu)化。該產(chǎn)品超低柵極電荷和輸出電荷,以及采用小尺寸封裝的最低導(dǎo)通電阻,使 OptiMOS? 25V 成為滿足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用對穩(wěn)壓器解決方案苛刻要求的最佳選擇。OptiMOS? 30V 產(chǎn)品通過改善 EMI 性能和延長電池壽命,滿足了筆記本電腦電源管理的需求。
BSC0901NSI產(chǎn)品屬性:
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 41 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
配置: Single
下降時(shí)間: 4.6 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時(shí)間: 7.2 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5 ns
潛在應(yīng)用
板載充電器
筆記本電腦
主板
直流-直流
VRD/VRM
電機(jī)控制
發(fā)光二極管
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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