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SCT3160KW7是1200V 17A的Nch SiC功率MOSFET。采用溝槽結構，降低了導通電阻。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：17A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 208 毫歐 @ 5A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 18 V

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：398 pF @ 800 V

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 100W

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： TO-263-7  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：SCT3160

應用

太陽能逆變器

DC/DC轉換器

開關模式電源

感應加熱

電機驅動

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