商品名稱:FS650R08A4P2
數(shù)據(jù)手冊:FS650R08A4P2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FS650R08A4P2 750V HybridPACK?驅(qū)動模塊是一個超緊湊電源模塊,優(yōu)化用于混合動力和電動汽車主逆變器應(yīng)用 (xEV)。HybridPACK驅(qū)動器配有機(jī)械導(dǎo)向元件,支持簡單的組裝過程。此外,信號端子的壓配引腳可避免耗時的選擇性焊接工藝,從而在系統(tǒng)層面上節(jié)省成本,提高系統(tǒng)可靠性。
引線型FS820R08A6P2B (820 A/750 V) 是一款六單元模塊,優(yōu)化用于150kW逆變器。該電源模塊采用EDT2 IGBT芯片生成技術(shù),這是一款汽車Micro-Pattern Trench-Field-Stop電池設(shè)計(jì)。該芯片組具有基準(zhǔn)電流密度,還有卓越的短路耐受性以及增強(qiáng)的電壓阻斷性能,可確保逆變器在惡劣的環(huán)境條件下仍能可靠運(yùn)行。EDT2 IGBT還具有出色的輕負(fù)載功率損耗,有助于顯著提高系統(tǒng)在實(shí)際周期內(nèi)的效率。該芯片組優(yōu)化用于10kHz范圍內(nèi)的開關(guān)頻率。
特性
基準(zhǔn)電流密度和改進(jìn)輕負(fù)載功率損耗,增加電動汽車?yán)锍?/p>
750V EDT2 IGBT和二極管芯片組,用于高達(dá)Tvj=175°C開關(guān)操作
極低導(dǎo)通損耗
單位數(shù)雜散電感以及平順、高效的開關(guān)特性
短路耐受性高達(dá)Tvj=175°C,可在極端條件下保證逆變器可靠運(yùn)行
壓配信號引腳
機(jī)械導(dǎo)向元件,用于高效、低成本逆變器組件
應(yīng)用
汽車應(yīng)用
混合動力和電池電動汽車
商用、建筑和農(nóng)用車輛
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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