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MSC025SMA120B器件是一個(gè)1200V，N通道SiCFET MOSFET 器件，采用 TO-247-3 引腳封裝，功耗最高為500W。該碳化硅器件具有更高的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的帶隙和更高的熱導(dǎo)率。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：103A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號(hào)：MSC025

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