商品名稱:存儲器 - 模塊
品牌:SK hynix
年份:24+
封裝:SDP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
說明:
SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。
HMCG88MEBRA107N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊
詳細(xì)參數(shù)
類型:DDR5 Module RDIMM
密度:32GB
組織:x8
速度:4800Mbps
封裝:SDP
與DDR4相比,SK hynix的16Gb或24Gb DDR5 RDIMM將有效帶寬提高了70%,數(shù)據(jù)速率從5,600Mbps開始,最高可達(dá)6,400Mbps,最終目標(biāo)是速度提高2倍以上。這樣的收益減少了相同系統(tǒng)性能水平所需的服務(wù)器數(shù)量,并使數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營更加環(huán)保。
借助雙通道結(jié)構(gòu),DDR5 RDIMM將CA(命令地址)引腳的數(shù)量增加到7條從主機(jī)到RCD的雙倍數(shù)據(jù)速率CA總線,以及14條從RCD到DRAM的單倍數(shù)據(jù)速率總線。因此,與單通道DDR4 DIMM相比,擁有兩個(gè)獨(dú)立的40位通道可實(shí)現(xiàn)2倍的帶寬和更高的總線(信號)效率。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機(jī)、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動設(shè)備。HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細(xì)參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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