商品名稱:圖像傳感器
品牌:ON
年份:24+
封裝:IBGA-149
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E: Hyperlux、2.1 μm、830 萬像素、1/1.8 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 產(chǎn)品介紹:
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E 是一款 1/1.8 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,采用 3840 H x 2160 V 有源像素陣列。這款先進(jìn)的汽車傳感器可捕捉高動(dòng)態(tài)范圍 (HDR) 的圖像,并具有 LED 閃爍減緩 (LFM)。AR0823AT 通過一個(gè) 2.1 μm 的超級(jí)曝光像素,能夠在每幀圖像中捕捉弱光和極亮照明。該像素?zé)o需自動(dòng)曝光調(diào)整,即可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 dB 的動(dòng)態(tài)范圍。這大大降低了依賴場(chǎng)景的關(guān)鍵汽車系統(tǒng)的延遲,從而實(shí)現(xiàn)更快、更安全的數(shù)據(jù)收集和決策。
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 產(chǎn)品特性:
支持全分辨率 150 dB HDR+LFM
具有超級(jí)曝光 HDR+LFM 模式的高性能 2.1 μm BSI 像素
在 SE 模式下以高達(dá) 60 fps 的速度拍攝 3840 x 2160 圖像
雙輸出數(shù)據(jù)通路,支持多功能系統(tǒng)
實(shí)時(shí)功能安全機(jī)制和幀末故障報(bào)告
AEC-Q100 2 級(jí)
按照 ASIL-D 流程設(shè)計(jì)
AR0823AT2C18XUEA0-DPBR-E - 應(yīng)用:
汽車前置攝像頭 (ADAS)
后視鏡更換 (CMS)
ADAS + 視像融合
HDR 成像
環(huán)視 + 感知
車內(nèi)監(jiān)控
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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