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MD29HTC120P6HET 1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊 6 封裝。SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(on)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。

MD29HTC120P6HET

封裝：P6

額定電流：-

芯片類型：SIC

額定電壓：1200V

電路結(jié)構(gòu)：Sixpack/六單元

特征：PINFIN基板

特點

? SiC 功率 MOSFET

? 具有低 RDS（導(dǎo)通）的高阻塞電壓

? 易于并聯(lián)，驅(qū)動簡單

? 低電感情況下避免振蕩

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板

典型應(yīng)用

? 汽車應(yīng)用

? 混合動力和電動汽車

? 電機驅(qū)動用逆變器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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