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商品型號:DMWSH120H43SM3

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Diodes

年份:24+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
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技術參數(shù)

制造商
Diodes
型號
DMWSH120H43SM3
封裝
TO-247-3
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 72.7A(Tc) 341W(Tc) TO-247-3

產品描述

DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設計用于最大限度地降低導通電阻并保持出色的開關性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉換器、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機驅動器。


DMWSH120H43SM3的規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術:SiC(碳化硅結晶體管)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):72.7A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):43毫歐 @ 40A,15V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 11.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 15 V

Vgs(最大值):+19V,-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2187 pF @ 1000 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):341W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:-

資質:-

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-247

封裝/外殼:TO-247-3


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型號

品牌

封裝

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描述

NVH4L032N065M3S

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TO-247-4

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

SCT025W120G3AG

ST

HiP247-3

3000

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NTHL032N065M3S

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TO-247-3

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碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

NTH4L032N065M3S

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TO-247-4

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NTBG032N065M3S

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D2PAK-7

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TO-263-7

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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Diodes

Diodes

Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉投資企業(yè),主要從事半導體分立元件制造生產,Diodes Inc.與光寶集團具備合作夥伴關系,雙方共同開發(fā)、生產及分銷產品,服務廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…

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