商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ROHM
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
SCT3105KRC15是一款非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車充電站等的溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET。該器件采用電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳分離的4引腳封裝,能夠充分地發(fā)揮出高速開(kāi)關(guān)性能。
SCT3105KRC15的規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tj)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):137 毫歐 @ 7.6A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.6V @ 3.81mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):51 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):574 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):134W
工作溫度:175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
基本產(chǎn)品編號(hào):SCT3105
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無(wú)線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅(qū)動(dòng)器。RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開(kāi)關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無(wú)鉛鍍鉛;符合…BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級(jí)IC,非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強(qiáng)型GaN HEMT和硅驅(qū)動(dòng)器。特性:Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應(yīng)用提供長(zhǎng)期支持產(chǎn)品寬工作范圍,適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…電話咨詢:86-755-83294757
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