商品名稱:NTMFS5C612NT1G-TE
數(shù)據(jù)手冊:NTMFS5C612NT1G-TE.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
5-DFN封裝NTMFS5C612NT1G-TE n通道60V單mosfet晶體管
產(chǎn)品描述
NTMFS5C612NT1G-TE實現(xiàn)了200nC的柵極電荷(Qg),而等效的競爭器件更接近300nC。在快速開關(guān)、高功率可再生能源應(yīng)用中,低Qg對于實現(xiàn)高效率至關(guān)重要。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性:n通道
通道數(shù):1通道
Vds -漏源擊穿電壓:60v
Id -連續(xù)漏極電流:235 A
導(dǎo)漏源電阻:1.5 mOhms
Vgs -柵源電壓:- 20v, + 20v
柵極-電源閾值電壓:1.2 V
柵極電荷:91 nC
最低工作溫度:- 55℃
最高工作溫度:+ 175℃
Pd -功耗:3.8 W
通道模式:增強
特性
占地面積小(5x6毫米)緊湊的設(shè)計
低RDS(on)以最小化傳導(dǎo)損耗
低QG和電容,最大限度地減少驅(qū)動器損耗
NTMFS5C612NWFT1G?可濕性側(cè)面選項,用于增強光學(xué)檢測
這些設(shè)備不含鉛,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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