NVH4L110N65S3F - 采用TO-247-4L 封裝的 650V、110mohm SUPERFET III MOSFET 晶體管
型號:NVH4L110N65S3F
封裝:TO-247-4
類型:MOSFET 晶體管
描述:MOSFET - 單 N 溝道,SUPERFET III,F(xiàn)RFET 650V,30A,110mohm
產(chǎn)品概覽
NVH4L110N65S3F - SUPERFET III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超級結(SJ)MOSFET系列,采用電荷平衡技術,具有出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術可最大限度地減少傳導損耗,提供卓越的開關性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng),可實現(xiàn)小型化和高效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復性能,可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品特點
- 同類最佳的體二極管
- 內(nèi)部 Rg
- 更低的 RDS(ON) / 相同的封裝
- 內(nèi)部齊納 / 650 V BVdss
- 超低柵極電荷和低有效輸出電容
- 更低的 FOM(RDS(ON)最大值 x Qg typ.
- 通過 AEC-Q101 認證并可進行 PPAP 生產(chǎn)
- 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應用
OBC
高壓 DC/DC 轉換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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