NTMFD5C680NLT1G - 60V、26A、28mΩ 雙 N 通道功率 MOSFET 晶體管
型號：NTMFD5C680NLT1G
封裝：DFN8
類型：雙 N 通道功率 MOSFET 晶體管
描述：60V、26A MOSFET - 功率，雙 N通道 8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）
產品概述
NTMFD5C680NLT1G - 工業(yè)功率 MOSFET，采用 5x6 mm 扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。
產品特性
- 小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設計
- 低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低
- 低 QG 和電容，將驅動器損耗降至最低
應用
電機控制
同步直流至直流穩(wěn)壓器
電源開關（高壓側驅動器、低壓側驅動器、H 橋等）
電池管理和保護
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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UJ3C120040K3S
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UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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