NTBLS1D7N10MCTXG - 采用 TOLL 封裝的 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
型號:NTBLS1D7N10MCTXG
封裝:H-PSOF8L
類型:N 通道 MOSFET 晶體管
描述:表面貼裝型 N 通道 100V 29A(Ta),272A(Tc) 3.4W(Ta),295W(Tc) 8-HPSOF
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 29A(Ta),272A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 1.8 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4V @ 698μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 115 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 9200 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 3.4W(Ta),295W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 H-PSOF8L
封裝/外殼 8-PowerSFN
產(chǎn)品特性
- 低 RDS(on),將傳導損耗降至最低
- 低 QG 和電容,可將驅動器損耗降至最低
- 降低開關噪聲/EMI
- 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應用
初級和次級側 DC-DC
高效 AC-DC 轉換
負載
太陽能逆變器
電機驅動
熱插拔
折疊
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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LB11600JV-TLM-E
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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