商品名稱：FGH75T65UPD-F155
品牌：ON
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FGH75T65UPD-F155 - 650V、150A 溝槽場截止 IGBT 晶體管
產(chǎn)品描述
FGH75T65UPD-F155 - 安森美半導體的新系列溝槽場截止IGBT采用創(chuàng)新的溝槽IGBT技術，為太陽能逆變器、UPS、焊機和數(shù)字發(fā)電機等要求低導通和開關損耗的應用提供最佳性能。
產(chǎn)品特性
- 最高結(jié)溫： TJ = 175°C
- 正溫度系數(shù)，便于并聯(lián)操作
- 高電流能力
- 低飽和電壓： VCE(sat) = 1.65 V（典型值） @ IC = 75 A
- 100% 零件測試 ILM
- 高輸入阻抗
- 嚴格的參數(shù)分布
- 短路耐用性 > 5 秒 @ 25°C
- 這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
應用
- 太陽能逆變器
- 不間斷電源
- 數(shù)字發(fā)電機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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