商品名稱：IXXH60N65B4H1
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXXH60N65B4H1 - 650V XPT? GenX4? IGBT 晶體管，帶聲波二極管，通過 IGBT 實(shí)現(xiàn) 5-30 kHz 開關(guān)，具有極強(qiáng)的光沖力。
特點(diǎn)
針對(duì) 5-30kHz 開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
方形 RBSOA
反并聯(lián)聲波二極管
短路能力
優(yōu)勢(shì)
高功率密度
極其堅(jiān)固
柵極驅(qū)動(dòng)要求低
應(yīng)用
電源逆變器
不間斷電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
電焊機(jī)
燈鎮(zhèn)流器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力，電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下：特點(diǎn)經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…
IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關(guān)頻率的應(yīng)用，具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：-配置：單路電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：340 A功率 - 最大值：940 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce…
IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極晶體管），屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：1.18 kA不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）…電話咨詢：86-755-83294757
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