商品名稱：IXYH30N450HV
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
IXYH30N450HV - 4500V、60A 高壓 XPT? IGBT 晶體管
產(chǎn)品特性
高壓封裝
高阻斷電壓
高峰值電流能力
低飽和電壓
優(yōu)勢(shì)
柵極驅(qū)動(dòng)要求低
功率密度高
應(yīng)用
開關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源 (UPS)
激光發(fā)生器
電容器放電電路
交流開關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國(guó)硅谷，1983年成立，主營(yíng)：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 HiPerFET? Polar3? 系列，專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力，電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù)：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下：特點(diǎn)經(jīng)過(guò)優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…
IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關(guān)頻率的應(yīng)用，具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：-配置：?jiǎn)温冯妷?- 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：340 A功率 - 最大值：940 W不同 Vge、Ic 時(shí) Vce…電話咨詢：86-755-83294757
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