商品名稱:FS660R08A6P2FLB
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS660R08A6P2FLB.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
汽車(chē)IGBT模塊FS660R08A6P2FLB溝槽式現(xiàn)場(chǎng)停止三相逆變器
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品狀態(tài):激活
IGBT類型:溝槽式現(xiàn)場(chǎng)停止器
配置:三相逆變器
電壓 - 集電極發(fā)射器擊穿(最大):750 V
電流 - 集電極(Ic)(最大值):450 A
功率 - 最大:1053 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 450A
電流 - 集電極截止(最大):1 mA
輸入電容(Cies)@ Vce:80 nF @ 50 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
產(chǎn)品介紹
FS660R08A6P2FLB帶有一個(gè)平底板,是HybridPACK驅(qū)動(dòng)器系列中的750V/660A模塊衍生產(chǎn)品。
應(yīng)用
汽車(chē)應(yīng)用
混合動(dòng)力汽車(chē)(H)EV
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
商業(yè)農(nóng)業(yè)車(chē)輛
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
MODULE
2000
IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 750 V 450 A 1053 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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