商品名稱:NCP12400BBBBB2DR2G
品牌:ON
年份:23+
封裝:7-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
NCP12400BBBBB2DR2G 是一款新型固定頻率電流模式控制器,具有動(dòng)態(tài)自供電功能。這一功能可激活內(nèi)部啟動(dòng)電流源,使其在啟動(dòng)、瞬變、鎖存、待機(jī)等期間為控制器供電,大大簡(jiǎn)化了輔助電源和VCC電容器的設(shè)計(jì)。這款器件包含一個(gè)特殊的高壓檢測(cè)器,能夠檢測(cè)從交流輸入線路上拔下的應(yīng)用,然后觸發(fā)X2放電電流。這一高電壓結(jié)構(gòu)還能進(jìn)行欠電壓檢測(cè)。
產(chǎn)品屬性
輸出隔離:隔離
內(nèi)部開(kāi)關(guān):無(wú)
電壓 - 擊穿:-
拓?fù)洌悍醇?/span>
電壓 - 啟動(dòng):12 V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 28V
占空比:80%
頻率 - 開(kāi)關(guān):65kHz
故障保護(hù):過(guò)載,超功率,超溫,過(guò)壓
控制特性:-
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬),7 引線
供應(yīng)商器件封裝:7-SOIC
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
基本產(chǎn)品編號(hào):NCP12400
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
MPS
QFN-32
5000
36V 同步升降壓(Buck-Boost)控制器,具有電流監(jiān)控功能和串行接口,并可通過(guò) IPWM 調(diào)節(jié) OCP
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類(lèi)似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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