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NVBLS1D7N10MCTXG 100V、N溝道MOSFET具有較高的熱性能和較低的RDS (on)，可最大限度地降低導通損耗。該功率MOSFET符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能，非常適合用于汽車應用。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32.4A (Ta), 265A (Tc)

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 698μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：115 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9200 pF @ 50 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.5W (Ta), 303W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-HPSOF

封裝/外殼：8-PowerSFN

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。