NXH200B100H4F2SG-R是一種電源模塊,包含高性能 IGBT 和堅固耐用的反并聯二極管。該模塊還包含一個板載熱敏電阻。
產品屬性
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三級反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1 kV
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 A
功率 - 最大值:93 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,100A
電流 - 集電極截止(最大值):200 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):6523 pF @ 20 V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:是
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
供應商器件封裝:36-PIM(56.7x48)
應用
● 太陽能逆變器
● 不間斷電源
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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