商品名稱:NTMFS4C910NAT3G
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NTMFS4C910NAT3G是一款功率 MOSFET,30 V,52 A,單 N 溝道,SO?8 FL。
特性
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
優(yōu)化柵極電荷,最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗
符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
CPU 電源交付
DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S:碳化硅 (SiC) MOSFET——650V、55A、N通道 MOSFET 晶體管,H-PSOF-8型號(hào):NTBL032N065M3S封裝:H-PSOF-8類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NTBL032N065M3S 產(chǎn)品特點(diǎn):最高結(jié)溫 175C無(wú)引線薄型 SMD 封裝開(kāi)爾文源配置出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]超低柵極…UJ4C075018K4S
UJ4C075018K4S:750V,18mohm,碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管,TO-247-4基本信息:型號(hào):UJ4C075018K4S封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(共源共柵 SiCJFET)漏源電壓(Vdss):750 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):81A(Tc)不同…UJ3C065030T3S
UJ3C065030T3S:碳化硅(SiC)MOSFET——650V,85A,N通道 MOSFET 晶體管,TO-220-3基本信息:型號(hào):UJ3C065030T3S封裝:TO-220-3類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管UJ3C065030T3S 產(chǎn)品屬性:FET 類型:N 通道漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):85A(Tc…UJ3C120150K3S
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企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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