商品名稱:NVMYS011N04CTWG
數(shù)據(jù)手冊:NVMYS011N04CTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:LFPAK4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMYS011N04CTWG 是一款適用于緊湊和高效設計的汽車用40 V,12 mΩ,35 A功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,符合生產(chǎn)件批準程序 (PPAP),適用于需要更高板級可靠性的汽車應用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):13A(Ta),35A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):12 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):7.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):420 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),28W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質:AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
基本產(chǎn)品編號:NVMYS011
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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LB11600JV-TLM-E
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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