商品名稱:NIS3071MT3TWG
數(shù)據(jù)手冊:NIS3071MT3TWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:16-WQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NIS3071MT3TWG是一款 4 通道、60 V、每通道 2.5 A 的電子保險絲。可保護下游負載免受輸出短路、過載和過流事件的影響。每個通道都采用高壓側(cè)配置,由相應(yīng)的使能器獨立控制。通過一個通用的低電平有效故障引腳進行狀態(tài)通信。這款電子保險絲具有內(nèi)部軟啟動延遲、跳閘時間控制和所有通道通用的可調(diào)電流限制設(shè)置。
功能特點
● 4 個獨立通道,每個通道的電流能力為 2.5 A
● 每個通道的功率器件均受熱保護
● 無需外部電流分流器
● 高電平數(shù)字使能引腳
● 開漏公共故障引腳
● 所有通道的可調(diào)過流限制
● 可調(diào)接通時間控制
● NIV 前綴,用于汽車和其他需要獨特的現(xiàn)場和控制變更要求
● AEC-Q100認證和 PPAP 能力
● 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
● 汽車車身控制模塊
● 配電箱
● 汽車分區(qū)控制器
● 負載/線束保護
● 汽車中低功率負載
● 功率放大器保護
● 電機驅(qū)動保護
● 電信設(shè)備
● 8 V 至 60 V 工業(yè)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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