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NTMFS5C670NLT1G 是 60V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 17A（Ta），71A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 6.1 毫歐 @ 35A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1400 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），61W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線 

特性

小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低 QG 和電容，將驅(qū)動器損耗降至最低

應用

高性能 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

負載點模塊

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