服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):ASP2100RMNTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):ASP2100RMNTXG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:QFN-56
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ASP2100RMNTXG是雙軌八加兩相降壓解決方案,分別針對(duì)英特爾? IMVP9.1 Rev0.9 和 Rev0.95 進(jìn)行了優(yōu)化。多相軌控制系統(tǒng)基于雙邊緣脈寬調(diào)制 (PWM) 結(jié)合 DCR電流檢測(cè)或智能功率級(jí)電流檢測(cè)。這些功能提供了對(duì)動(dòng)態(tài)負(fù)載事件的超快初始響應(yīng),并降低了系統(tǒng)成本。具有超低偏移電流監(jiān)控放大器,可對(duì)偏移進(jìn)行編程。
功能
● 電壓范圍 4.5 V 至 21 V
● 啟動(dòng)到預(yù)充電負(fù)載,同時(shí)避免錯(cuò)誤 OVP
● 數(shù)字軟啟動(dòng)斜坡
● 可調(diào) VBOOT
● 高阻抗差分放大器可提供精確的輸出電壓感應(yīng)
● 支持雙 VID 表,與 IMVP9.1 兼容
● 支持大電流擴(kuò)展
● 自動(dòng)相位切除
● 動(dòng)態(tài)基準(zhǔn)注入
● 可編程輸出電壓漂移率
● 動(dòng)態(tài) VID 前饋
● 每個(gè)相位的差分電流檢測(cè)放大器
● 可編程自適應(yīng)電壓定位 (AVP)
● 電流模式雙邊緣調(diào)制,實(shí)現(xiàn)最快的初始響應(yīng)瞬態(tài)負(fù)載
● 高性能運(yùn)算誤差放大器
● 精確的總和電流放大器
● 熱監(jiān)控器
● 可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率范圍
● 數(shù)字穩(wěn)定開(kāi)關(guān)頻率
● 超聲波操作
● 支持聲學(xué)降噪功能
● PSYS 輸入監(jiān)控器(SVID 地址 0x0D)
● 支持 VCCIN_AUX IMON 輸入
● 符合 Intel IMVP9.1 規(guī)范
● I2C 控制接口
應(yīng)用
● 臺(tái)式電腦
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
WSON-6
12000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 0.6V 1 輸出 600mA 6-WDFN 祼焊盤(pán)
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 1V(3.3V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)(固定) 3V(3.6V) 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可編程(固定) 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
12-TDFN
1000
降壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可編程(固定) 1V 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤(pán)
Maxim
8-TDFN
2000
升壓 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)式 2.3V 1 輸出 850mA 8-WFDFN 裸露焊盤(pán)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類(lèi)似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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